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新聞動態(tài)
罐體拋光機磨料耐火和耐腐蝕材料
碳化硅是一種人工合成的碳化物，分子式為SiC。通常是由二氧化硅和碳在通電后2000℃以上的高溫下形成的。碳化硅理論密度是3.18克每立方厘米，其莫氏硬度僅次于金剛石，在9.2-9.8之間，顯微硬度3300千克每立方毫米，由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點，被用于各種耐磨、耐蝕和耐高溫的機械零部件，是一種新型的工程陶瓷新材料。
碳化硅的基本性能
化學(xué)性質(zhì)
抗氧化性：當(dāng)碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時，在其碳化硅晶體表面開始生成二氧化硅保護(hù)層。隨著保護(hù)層的加厚，阻止了內(nèi)部碳化硅繼續(xù)被氧化，這使碳化硅有較好的抗氧化性。當(dāng)溫度達(dá)到1900K(1627℃)以上時，二氧化硅保護(hù)膜開始被破壞，碳化硅氧化作用加劇，所以1900K是碳化硅在含氧化劑氣氛下的最高工作溫度。
耐酸堿性：在耐酸、堿及氧化物的作用方面，由于二氧化硅保護(hù)膜的作用，碳化硅的抗酸能力很強，抗堿性稍差?；瘜W(xué)拋光是讓材料在化學(xué)介質(zhì)中表面微觀凸出的部分較凹部分優(yōu)先溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優(yōu)點是不需復(fù)雜設(shè)備，可以拋光形狀復(fù)雜的工件，可以同時拋光很多工件，效率高?；瘜W(xué)拋光的核心問題是拋光液的配制。化學(xué)拋光得到的表面粗糙度一般為數(shù) 10 μ m 。
1.3 電解拋光
電解拋光基本原理與化學(xué)拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學(xué)拋光相比，可以消除陰極反應(yīng)的影響，效果較好。電化學(xué)拋光過程分為兩步：
